开创性一步3D NAND湿法沉积工艺获得专利

先进逻辑和 3D NAND 存储设备金属化技术的领先供应商 aveni SA 宣布已获得一项专利，该专利可将行业标准的层数从 100 层扩展到用于 3D NAND 存储设备的单个晶圆上多达 200 多个层。这是 20 多年来 3D NAND 技术最重要的一次进步。

镍硼 (NiB) 湿法沉积的这一突破是多年来在 NiB 金属化领域研究的结果，该公司目前在该领域拥有 60 多项专利。这项最新专利和aveni“专有技术”进一步加强了公司令人印象深刻的产品组合，并使半导体和其他高科技行业的公司能够降低成本并提高效率。

“多年来，该行业一直在寻找一种方法来应对寻找可以在复杂地形上应用和沉积的金属的挑战，” aveni, SA 首席技术官Frederic Raynal说。“aveni 发现，通过使用化学湿法工艺，可以在设备内的任何地方进行金属化，并创造一种解决方案，用镍硼化学屏障代替钨及其氮化钛 (TiN) 扩散屏障。这种独特的配方为 3D NAND 结构的字线填充提供了前所未有的优势，包括小开口中的自下而上无空隙填充和大开口中的保形沉积。”

aveni 是当今市场上唯一一家能够提供这项新技术的公司，并准备对全球晶圆生产产生巨大影响。

“多年来，我们已经知道镍硼具有彻底改变半导体行业的潜力，” aveni, SA 首席执行官Bruno Morel说。“我们最新的 3D NAND 技术专利具有三个重要因素：可扩展性、改进的工艺——从多步到一步——以及真正无限的能力。这三个因素代表了我们的一个关键差异化因素，并预示着从当前的行业标准，干法沉积钨。”

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